--------[ SPD ]---------------------------------------------------------------------------------------------------------
[ DIMM1: Micron Tech. 8VDDT1664AG-265A1 ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Micron Tech. 8VDDT1664AG-265A1
Numero di serie 5B1A0A27h
Data di produzione Settimana 48 / 2001
Capacità modulo 128 MB (1 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2100 (133 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Normale (15.625 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore:
Nome società Micron Technology, Inc.
Informazioni sul prodotto
http://www.micron.com/products/category.jsp?path=/DRAM
[ DIMM2: Nanya NT256D64S88B0G-6K ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Nanya NT256D64S88B0G-6K
Numero di serie Nessuno
Data di produzione Settimana 21 / 2004
Capacità modulo 256 MB (1 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2700 (166 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Ridotto (7.8 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore:
Nome società Nanya Technology Corp.
Informazioni sul prodotto
http://www.nanya.com/e-htm/abc/abc-03.htm
[ DIMM3: Hyundai HYMD116 645B8-H ]
Proprietà modulo di memoria:
Nome modulo Hyundai HYMD116 645B8-H
Numero di serie 12217186h
Capacità modulo 128 MB (1 rows, 4 banks)
Tipo modulo Unbuffered
Tipo memoria DDR SDRAM
Velocità PC2100 (133 MHz)
Ampiezza bus 64 bit
Voltaggio SSTL 2.5
Metodo rilevamento errore Nessuno
Frequenza di aggiornamento Normale (15.625 us), Self-Refresh
Timing della memoria:
@ 133 MHz 2.5-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)
@ 100 MHz 2.0-2-2-5 (CL-RCD-RP-RAS)
Caratteristiche modulo di memoria:
Early RAS# Precharge Non supportato
Auto-Precharge Non supportato
Precharge All Non supportato
Write1/Read Burst Non supportato
Buffered Address/Control Inputs Non supportato
Registered Address/Control Inputs Non supportato
On-Card PLL (Clock) Non supportato
Buffered DQMB Inputs Non supportato
Registered DQMB Inputs Non supportato
Differential Clock Input Supportato
Redundant Row Address Non supportato
Produttore:
Nome società Hynix Semiconductor Inc.
Informazioni sul prodotto
http://www.hynix.com/eng/02_products/01_dram/index.jsp
--------[ Processore ]--------------------------------------------------------------------------------------------------
Proprietà processore:
Tipo processore AMD Athlon XP, 1919 MHz (11.5 x 167)
Alias processore Thoroughbred-B
Livello di revisione del processore B0
Istruzioni supportate x86, MMX, 3DNow!, SSE
Cache codice L1 64 KB
Cache dati L1 64 KB
Cache L2 256 KB (On-Die, Full-Speed)
Informazioni fisiche sul processore:
Tipo package 453 Pin PGA
Dimensione package 4.95 cm x 4.95 cm
Transistor 37.6 milioni
Tecnologia processo produttivo 6Mi, 0.13 um, CMOS, Cu
Dimensione die 84 mm2
Voltaggio core 1.50 - 1.65 V
Voltaggio I/O 1.6 V
Alimentazione regolare 44.0 - 64.0 W (dipendente dalla velocità di clock)
Alimentazione massima 48.5 - 74.3 W (dipendente dalla velocità di clock)
Produttore processore:
Nome società Advanced Micro Devices, Inc.
Informazioni sul prodotto
http://www.amd.com/us-en/Processors/Pro ... 18,00.html
Utilizzo processore:
Processore #1 100 %
--------[ Scheda madre ]------------------------------------------------------------------------------------------------
Proprietà della scheda madre:
ID scheda madre 01/14/2003-KT400-8235-6A6LYG0CC-00
Nome scheda madre Gigabyte GA-7VA-C
Proprietà Front Side Bus:
Tipo bus DEC Alpha EV6
Bus 64 bit
Clock reale 167 MHz (DDR)
Clock effettivo 334 MHz
Larghezza di banda 2670 MB/s
Proprietà bus memoria:
Tipo bus DDR SDRAM
Bus 64 bit
Clock reale 167 MHz (DDR)
Clock effettivo 334 MHz
Larghezza di banda 2670 MB/s
Proprietà bus chipset:
Tipo bus VIA V-Link
Bus 8 bit
Clock reale 67 MHz (ODR)
Clock effettivo 534 MHz
Larghezza di banda 534 MB/s
Informazioni fisiche sulla scheda madre:
Slot/socket processore 1 Socket 462
Slot di espansione 5 PCI, 1 AGP
Slot RAM 3 DDR DIMM
Periferiche integrate Audio
Form factor ATX
Dimensione scheda madre 200 mm x 300 mm
Chipset scheda madre KT333CF
Produttore scheda madre:
Nome società Gigabyte Technology Co., Ltd.
Informazioni sul prodotto
http://tw.giga-byte.com/MotherBoard/Pro ... t_List.htm
Download BIOS
http://tw.giga-byte.com/Motherboard/Sup ... S_List.htm